國家實驗研究院奈米元件實驗室（NDL）已開發出全球最小九奈米功能性電阻式記憶體（R│RAM）陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加廿倍，耗電量降低約兩百倍，五到十年將量產。
國研院長陳文華、交通大學校長吳重雨、國研院奈米元件實驗室主任楊富量，以及負責國研院奈米元件實驗室開發「九奈米超節能記憶體」的NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊昨天召開記者會，公布這項重大研究成果。
何家驊指出，目前的傳統快閃記憶體從二○○四年的九十奈米持續發展，二○一○年已開發到卅二奈米，預計二○一一年將開發出廿二奈米；但是二○一三年將面臨技術瓶頸，只剩多層堆疊IC及電阻式記憶體兩種技術可持續使用、開發。
他說，他的研究團隊開發出的九奈米功能性電阻式記憶體（R│RAM）陣列晶胞，是利用三氧化鎢、二氧化鎢及鎢電極的新混合結構，以及氧原子推動低耗電原理，開發出全球目前最小的九奈米R│RAM，容量比現行快閃記憶體增加約廿倍，耗電量則降低約兩百倍。
他強調，這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在一平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存一個圖書館的文字資料（約等同一百小時三D立體電影、兩百小時DVD影片、十萬首MP三、一百萬張照片）；且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，包含筆電都將輕薄化。
這項重要開發成果，已於十二月八日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視，更被大會選為重點宣傳論文之一，並被其他國外電子領域專業協會如電機電子工程師協會（IEEE）、日本經濟新聞（BP）等列為重要報導。
何家驊預計，這項新技術五到十年內量產，可讓目前全球新台幣一兆元的傳統快閃記憶體產值達兩兆元，並讓只是代工、需付權利金，使得產值僅占全球產值一％不到的台灣快閃記憶體產值占比提升到占全球產值的十%。
為達這些目標，何家驊說，NDL將在明年與產學研界共組「十六│八奈米元件聯盟」，以其近年來所開發的奈米技術為基礎，提供台灣產學研界研發平台，加速互補式金屬/氧化層/半導體（CMOS）元件與記憶體元件的技術開發，並厚植台灣半導體科技的人才基礎。
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