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國家實驗研究院奈米元件實驗室（NDL）已開發出全球最小九奈米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加二十倍，耗電量降低約二百倍，五到十年將量產。這項重要開發成果，已於八日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視。

國研院長陳文華、交通大學校長吳重雨、國研院奈米元件實驗室主任楊富量，以及負責國研院奈米元件實驗室開發「九奈米超節能記憶體」的NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊今天召開記者會，公布這項重大研究成果。

何家驊指出，目前的傳統快閃記憶體從二○○四年的九十奈米持續發展，二○一○年已開發到三十二奈米，預計二○一一年將開發出二十二奈米；但是二○一三年將面臨技術瓶頸，只剩多層堆疊IC及電阻式記憶體兩種技術可持續使用、開發。

他強調，這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在一平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存一個圖書館的文字資料（約等同一百小時三D立體電影、二百小時DVD影片、十萬首MP3、一百萬張照片）；且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，包含筆電都將輕薄化。